HTB-MS/HTB-MM

シンプルな加圧・加熱接合装置

製品概要

研究所・大学などでの半導体、パワーデバイス、フィルム材料等の開発に適した、シンプルな加圧・加熱接合装置です。
HTB-MMは、大型ステージにより、ギャングボンディングの開発に最適です。

製品の特長

特長その1

HTB-MSは1000N、MMは5000Nまでの高加圧を、高分解能にて制御可能な装置です。
SiC、GaNといった次世代パワーデバイスの焼結接合(シンタリング接合)の開発に適しています。

特長その2

セラミックヒータを搭載可能で、450℃までの温度プロファイルで制御できます。
N2環境での接合も可能です。

特長その3

光学系を構成したステージに交換することで、加圧加熱時の材料の挙動をリアルタイムで観察が可能です。

標準仕様

機種名 高精度加圧・加熱接合装置
型式 HTB-MS HTB-MM
ステージサイズ □30mm x 30mm □100mm x 100mm
加熱レンジ(ヘッド) RT~300℃±15℃
(コンスタントヒート)
パルスヒートオプション有
加熱レンジ(ステージ) RT~300℃±15℃
(コンスタントヒート)
パルスヒートオプション有
RT~300℃±15℃
(コンスタントヒート)
パルスヒートオプション有
ヘッド加圧力 ~500N ±5% 501N~5000N ±15%
Z方向変位計測 分解能1μm
ヘッド/ステージ間平行度 ±3μm ±3μm/□20mm、
±20μm/□100mm
外形寸法
(*パトライト・操作部除く)
高さ(H) 1,550mm 1,550mm
幅(W) 600mm 600mm
奥行(D) 600mm 600mm
重量 約200kg 約280kg
動力源 電源 3相 AC200V(50/60Hz)30A 1系統、15A 1系統
ドライエア 0.5MPa 245L/min
オプション パルスヒート(ヘッド・ステージ)MAX450℃

ヘッド平行度の自動制御システム
接合観察ユニット
パルスヒート(ヘッド)MAX450℃
(サイズは要打合せ)
接合観察ユニット
N2パージBOX

用途事例

・パワー半導体のシンタリング接合のプロセス開発。
・大面積ステージで、複数チップを一括接合する、ギャングボンディング開発。
・熱と圧力で変化するフィルム・ペースト等の挙動を観察。